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本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介电层，在所述第一层间介电层中形成有多个通孔；执行第一金属材料沉积工艺，形成覆盖所述半导体衬底并填充所述通孔的第一金属材料，执行第...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。