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本发明公开了一种超高反射率的紫外通孔结构的LED芯片，包括外延衬底和在外延衬底上生长的LED外延片；LED外延片包括n型掺杂GaN薄膜、InGaN或AlGaN/GaN多量子阱以及p型掺杂GaN薄膜，InGaN或AlGaN/GaN多量子阱生长...
该专利属于河源市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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