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本实用新型涉及一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构，该结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。所述的石墨烯散热层将转移至指定位置的芯片表面作为快速横向散...
该专利属于黄山学院;黄山谷捷散热科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过黄山学院;黄山谷捷散热科技有限公司授权不得商用。

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