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本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤a)，提供半导体衬底；步骤b)，在所述半导体衬底上形成鳍式结构；步骤c)，在所述鳍式结构上形成横跨所述鳍式结构的虚拟栅极；步骤d)，刻蚀所述鳍式...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。