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本实用新型提出一种发光二极管芯片，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；金属层，位于所述位于结构上的第一半导体层上；凹槽，位于衬底上，暴露部分所述第二半导体层；金属电极，位于所述金属层及暴露的第二半导...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司;北京大学授权不得商用。

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