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本发明涉及一种提高电光调制器带宽的电极结构，属于铌酸锂电光调制技术领域。为了解决电光调制器的相速失配问题，本发明在调制器芯片行波电极底部设计了一个镂空结构，可以不填充材料，也可以填充二氧化硅等低介电常数材料，经过计算能够有效降低微波等效折射...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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