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本发明涉及一种Ti(C,N)/AlN复合粉体及其制备方法。其技术方案是：将Ti2AlC3粉体装入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置入气氛炉中，在氮气气氛条件下升温至900～1600℃，保温0.5～3h，冷却至室温，制得Ti(C,N)/AlN复合...
该专利属于武汉科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉科技大学授权不得商用。

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