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描述了F‑RAM单元的结构和制造方法。F‑RAM单元包括形成在预先图案化的阻挡结构之上和形成有预先图案化的阻挡结构的铁电电容器，预先图案化的阻挡结构具有平坦化/化学和/或机械抛光的顶表面。预先图案化的阻挡结构包括具有在阻氧层上的底部电极层的...
该专利属于赛普拉斯半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛普拉斯半导体公司授权不得商用。

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