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本发明属于温控隔振结构制备工艺领域，并具体公开了一种基于SOI‑MEMS的温控隔振平台加工方法，其包括如下步骤：选取SOI硅片，使其顶硅层进行外延生长，形成与顶硅层晶体结构相同的硅外延生长层，在硅外延生长层的表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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