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本发明涉及半导体器件技术，旨在提供一种基于隧道磁电阻的集成SiC MOSFET模块过流和短路保护电路。包括：信号隔离单元、驱动单元、TMR电流检测单元、阈值设定单元和比较器，TMR电流检测单元和阈值设定单元分别与比较器的输入端相接，比较器的...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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