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本发明提供一种栅氧化层等效厚度的精确测试方法，至少包括：采用Cgc测试方法测试常规测试键获得总电容；采用Cgc测试方法测试校准测试键获得寄生电容；将步骤一中获得的总电容减去步骤二中获得的寄生电容，得到栅氧化层电容；利用电容公式，计算出栅氧化...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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