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本发明提供了一种直径均匀单晶光纤加工方法，通过提拉法或其它的晶体生长方法获得长度30‑300mm的晶体，依次通过定向、切割、滚圆的加工方法处理后获得晶棒，将晶棒浸泡于摩尔比为(1.5‑3.5)：1的浓硫酸和浓磷酸内，其中浓硫酸溶液的浓度为9...该专利属于南京同溧晶体材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京同溧晶体材料研究院有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种直径均匀单晶光纤加工方法，通过提拉法或其它的晶体生长方法获得长度30‑300mm的晶体，依次通过定向、切割、滚圆的加工方法处理后获得晶棒，将晶棒浸泡于摩尔比为(1.5‑3.5)：1的浓硫酸和浓磷酸内，其中浓硫酸溶液的浓度为9...