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实施方式涉及磁存储装置(magnetic memory device)及其制造方法。磁存储装置具备下部结构、层叠结构及第1侧壁绝缘层，所述层叠结构设置在所述下部结构上并包括：第1磁性层，所述第1磁性层具有可变的磁化方向；第2磁性层，所述第2...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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