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本发明公开了一种套刻标记形貌和测量条件优化方法，属于光刻领域。首先，根据光刻工艺确定套刻标记形貌结构和材料光学常数。其次，通过解析或数值的建模方法可计算套刻光学表征曲线。然后，根据泰勒公式得到套刻测量重复性精度和准确度的表达式。接着，选择待...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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