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集成式结构、NAND存储器阵列和形成集成式结构的方法技术
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文档序号:22107617
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一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠的集成式结构。所述导电层级包含具有第一竖直厚度的主区,并包含具有大于所述第一竖直厚度的第二竖直厚度的端突出部。电荷阻挡材料邻近于所述端突出部。电荷存储材料邻近于所述电荷阻挡材料。栅极介...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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