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本实用新型涉及新材料技术领域,具体公开了一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置,包括安装底座、真空泵和壳体,壳体内部上下两端分别设有一加热板,壳体内部下端的加热板上设有碳化硅衬底,壳体外部左右两侧从上至下依次分别对称设有真空管、第二气体...该专利属于泰科天润半导体科技(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泰科天润半导体科技(北京)有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及新材料技术领域,具体公开了一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置,包括安装底座、真空泵和壳体,壳体内部上下两端分别设有一加热板,壳体内部下端的加热板上设有碳化硅衬底,壳体外部左右两侧从上至下依次分别对称设有真空管、第二气体...