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本发明涉及一种GaN倒装芯片的焊接方法，该方法的具体步骤包括，A、减少基板在化学镀镍钯浸金过程中Ni层厚度；B、在倒装芯片上植入第一层的锡球或者铜柱；C、在倒装芯片上的第一层的锡球或铜柱上使用点胶的方式涂抹助焊剂，利用真空吸附治具吸附第二层...该专利属于同辉电子科技股份有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过同辉电子科技股份有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。