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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干栅极结构，所述栅极结构包括位于基底表面的第一栅极部和位于第一栅极部顶部的第二栅极部，所述第一栅极部中具有第一掺杂离子；在所述第二栅极部表面形成金属层；进行退火处理，使部...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。