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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成介质层，介质层内具有贯穿介质层的第一开口，第一开口暴露出部分基底表面。在第一开口底部形成界面层；形成界面层后，在第一开口侧壁和界面层表面形成栅介质层；在所述第一开口内形成位于栅介质...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。