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本发明提供了一种在高k介质层金属栅极(HKMG)整合工艺中，改善栅介质层中氮原子分布的方法，通过在对栅介质层掺氮处理后增加湿法刻蚀工艺，去除其一定厚度的表面部分，使其新裸露出的表面氮原子浓度大于原始表面氮原子浓度，从而改善氮原子在栅介质层表...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。