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本实用新型提供了一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，用于防护核心电路输入/输出端、正电源端和负电源端之间的静电放电，其包括：一种衬底；形成在该衬底上方的多个P型阱区域和N型阱区域以及形成在阱区上的重掺杂区，由这些阱区和掺杂区构成了...
该专利属于上海长园维安微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海长园维安微电子有限公司授权不得商用。

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