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本发明涉及信息储存技术领域，具体涉及一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：用于承载所述元件衬底；设置于衬底上方的第一电极；由重金属薄膜以及阻变薄膜组合沉积构成的异质结构层；以及形成于异质结构层上方的第二电极。在所述非易失自旋轨道转矩元件的第一电...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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