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本发明公开了具有孪生局部有源域三次多项式磁控忆阻器的等效模拟电路，其利用模拟集成运算设计电路实现了该忆阻模型的伏安磁滞特性，属于电路设计技术领域。利用电子器件的集成运算，设计该忆阻器本征动力学。其中，设计反相比例器，实现输出电压与输入电压的...
该专利属于山东科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东科技大学授权不得商用。

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