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本发明涉及一种交变电流磁光调制下调制器磁场分析方法，通过分析调制器结构特点，结合麦克斯韦方程组分别建立调制器内部电磁场的基本模型、空心调制器内部磁场模型、无松弛极化磁光材料内部磁场模型，最终构建交变电流磁光调制下含无松弛极化磁光材料的调制器...
该专利属于中国人民解放军火箭军工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军火箭军工程大学授权不得商用。

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