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本发明提供一种简易、快捷地制备掺杂过渡金属的二维薄片的方法，在电场下将块状含层状结构的二维晶体转变成少层的薄片，同时在薄片上掺杂过渡金属异质结。该方法中，将块状二维晶体作为工作电极，另外的惰性材料作为对电极，并都浸泡在电解液中，电解液为含过...
该专利属于深圳市中科墨磷科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市中科墨磷科技有限公司授权不得商用。

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