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描述了神经形态电路的忆阻学习概念。在一个示例情况下，神经形态电路包括：生成第一振荡信号的第一基于振荡的神经元、整流第一振荡信号的二极管、以及耦合到二极管的突触，并且该突触包括长时程抑制(LTD)忆阻器以及与长时程抑制忆阻器并联布置的长时程增...
该专利属于佛罗里达大学研究基金会公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛罗里达大学研究基金会公司授权不得商用。

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