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本发明属于半导体功率器件领域，涉及横向耐压区，具体提供一种有阻性场板的超结带槽横向耐压区，应用于半导体功率器件的结边缘终端或者横向半导体功率器件包括LDMOS(Lateral Double‑Diffused MOSFET)、LIGBT(La...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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