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本发明公开了一种利用二维氮化硼插入层弛豫氮化物外延结构中应力的方法。本发明通过在氮化物外延结构与异质衬底间引入二维氮化硼BN插入层的方法，利用二维氮化硼BN插入层中原子层间弱分子键连接、易于释放应力等特点，实现氮化物外延结构中应力的可控调制...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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