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本发明提供高温高压下用叠氮化钡作原材料合成I‑型硅基笼合物的方法,其特征在于:包括原料混合、压块合成、酸洗及烘干步骤;所述的压块合成:反应压力为1GPa‑3GPa,反应温度为700°C‑825°C。本发明不需要惰性气体保护,不需要要采用纯元...该专利属于北京智芯微电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京智芯微电子科技有限公司授权不得商用。
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