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本发明属于先进纳米材料技术领域，具体为p型半导体金属氧化物掺杂有序介孔氧化钨气敏材料及其制备方法。本发明是通过溶胶‑凝胶化学合成法，以两亲性嵌段共聚物作为结构导向剂，亲水嵌段通过氢键以及配位作用与p型半导体过渡金属氧化物及氧化钨前驱物种在溶...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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