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一种无公害、高产优质的霍山米斛种植方法技术
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文档序号:22034176
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本发明公开一种无公害、高产优质的霍山米斛种植方法,包括如下步骤:科学选址、整地、根据太阳高度角的变化设计遮阳网大棚、水利基础设施建设、基质制备与苗床建设:种苗处理,移栽、管理,包括施肥、病害防治、虫害管理、水分管理、越冬管理与采收,整个种植...
该专利属于闫飞翔所有,仅供学习研究参考,未经过闫飞翔授权不得商用。
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