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本发明公开了一种栅极凹槽的形成方法，包括：在衬底上形成层间介质层和多个宽度不同的金属栅极，每个金属栅极与层间介质层相邻；形成第一光阻层，使多个宽度不同的金属栅极的顶部表面包括多个暴露区和多个覆盖区，且至少一个金属栅极顶部表面包括暴露区和与暴...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。