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本发明公开了一种场效应管，以及制备这种场效应管的制备方法，通过将场效应管中的阱区分离开来，并在相邻两个阱区之间的区域不进行离子注入而选择在其上部通过生长金属来制备肖特基接触，使周边阱区和外延形成的PN结与肖特基接触共同组成一个结势垒肖特基二...
该专利属于深圳爱仕特科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳爱仕特科技有限公司授权不得商用。

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