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本发明提供一种阵列基板和阵列基板制备方法,阵列基板包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、有源层、栅绝缘层、源极、以及漏极,有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层,第一有源层和第二有源层材料不同,以提升薄膜晶体管的开态电流,栅绝缘层设置于栅...该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种阵列基板和阵列基板制备方法,阵列基板包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、有源层、栅绝缘层、源极、以及漏极,有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层,第一有源层和第二有源层材料不同,以提升薄膜晶体管的开态电流,栅绝缘层设置于栅...