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本发明涉及利用一或多个基于GaN的半导体装置的功率转换电路。本发明揭示一种半桥式GaN电路。所述电路包含低侧功率开关、高侧功率开关以及高侧功率开关控制器，所述高侧功率开关控制器经配置以基于一或多个输入信号控制所述高侧功率开关的传导性。所述高...
该专利属于纳维达斯半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳维达斯半导体公司授权不得商用。

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