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本发明公开了一种多靶共溅射制备不同成分和掺杂比薄膜的方法。通过常温磁控溅射镀膜系统这一传统镀膜手段，以V为例，引入多靶共溅射的方式制备不同掺杂成分和掺杂比的V薄膜，然后通过氧化退火工艺实现不同掺杂成分和掺杂比VO2薄膜的制备，以此来调节VO...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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