下载一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法的技术资料

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本发明提供一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法,其包括如下步骤:S1、在VCSEL外延片上通过介质薄膜形成刻蚀图案;S2、将VCSEL外延片连同其上的介质薄膜送入刻蚀腔中;S3、向刻蚀腔中通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体,对VCSEL...
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