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本发明涉及SiC功率器件领域，尤指一种新型SiC功率器件高温退火保护膜的制备方法。首先,对注入离子和去除掩膜的SiC样片进行标准清洗；然后，采用CVD法在SiC样片表面制备双层碳膜；最后,将制成的双层碳膜进行高温退火，使得双层碳膜重构成双层...
该专利属于深圳爱仕特科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳爱仕特科技有限公司授权不得商用。

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