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本实用新型属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂G...
该专利属于深圳市华讯方舟微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华讯方舟微电子科技有限公司授权不得商用。

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