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本发明公开了一种MEMS桥梁结构的制造方法，包括：步骤一、在衬底表面形成第一非晶硅层；步骤二、形成第一二氧化硅层；步骤三、形成桥柱孔；步骤四、形成第二二氧化硅层，第一和第二二氧化硅层将第一非晶硅层的表面都覆盖；步骤五、形成作为感应薄膜的第二...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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