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本发明公开了一种制备磁性隧道结单元阵列的方法，具体为，提供表面抛光的带金属连线Mx(x≥1)的CMOS基底；在表面抛光的带金属连线Mx的CMOS基底上，制作底电极通孔；在底电极通孔之上，制作底电极接触/底电极；在平坦化的底电极之上，沉积磁性...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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