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本发明属于磁性材料与元器件技术领域，更具体地，涉及一种基于多铁异质结交换偏置效应的电写磁读存储器。其自下而上依次包括铁电单晶衬底、底电极、多铁层、磁性固定层、磁性绝缘层和磁性自由层，巧妙地将具有自旋阀效应和具有交换偏置效应的器件结构整合在一...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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