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一种可自触发自保护的超导薄膜开关制造技术
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文档序号:21836781
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本发明提供了一种可自触发自保护的超导薄膜开关,包括超导薄膜单元,超导薄膜单元包括基底层;还包括设置在基底层一侧的超导薄膜开关层,设置在基底层另一侧与超导薄膜开关层对称的触发层和与超导薄膜开关层串联的保护层;超导薄膜单元与超导磁体SM并联后连...
该专利属于西南交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西南交通大学授权不得商用。
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