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本发明公开了一种具有异质外延结型电子阻挡层的LED结构，属于半导体光电子器件技术领域，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发...
该专利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第三十八研究所授权不得商用。

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