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本申请提供一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构及其制作方法，所述底层带有凹纳米图形的LED外延结构，包括蓝宝石衬底以及位于所述蓝宝石衬底表面依次设置的缓冲层、凹型纳米图形层、非掺杂层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；其中，由于...
该专利属于江西乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西乾照光电有限公司授权不得商用。

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