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本发明提供一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构的扩散方法，包括：采用P型单晶硅片做单晶硅基底，在所述单晶硅基底正表面进行各向异性刻蚀，得到分布均匀的类倒金字塔结构；将具有类倒金字塔结构的硅片放入扩散炉中进行分步式扩散；所述分步式扩散包括温度依次升...
该专利属于苏州腾晖光伏技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州腾晖光伏技术有限公司授权不得商用。

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