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本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种耐高压的HEMT器件，从下至上依次包括：衬底；缓冲层；沟道层；势垒层，势垒层与沟道层形成异质结，且势垒层的禁带宽度大于沟道层的禁带宽度；源极、栅极及漏极，在栅极和漏极之间的势垒层内形成有至少一个p型...
该专利属于芜湖启迪半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启迪半导体有限公司授权不得商用。

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