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本发明涉及功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种高频低结温的GaN异质结场效应晶体管。本发明的GaN异质结场效应晶体管，主要通过采用InAlN作为器件的势垒层材料，InAlN与GaN形成异质结时没有逆压电效应，因而可以克服传统结构中AlGa...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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