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分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法技术
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文档序号:21836376
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本发明公开了一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法,使用分子束外延技术,通过控制生长参数,在衬底上同质外延一层GaN外延层,使用分子束外延技术,通过控制生长参数,在GaN外延层上外延AlN插入层;使用分子束外延技术,通...
该专利属于南京大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京大学授权不得商用。
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