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本发明涉及有机电子器件技术领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。所述有机薄膜晶体管，包括：衬底；第一栅极，位于所述衬底表面；第一栅绝缘层，位于所述衬底表面且覆盖所述第一栅极；源极，位于所述第一栅绝缘层表面；漏极，位于所述第一栅绝缘层...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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